粵升設備打造的SiC外延爐，具備高質量、高穩定性外延片生產能力，充分滿足您對優越材料性能的追求。

設備名稱：SiC外延爐

設備型號：YS-E08S01

設備功能：CVD法生長SiC同質外延

襯底尺寸：6吋兼容8吋

片內厚度不均勻性：＜2%

片內摻雜濃度不均勻性：＜5%

形貌缺陷密度：＜1個/cm2

●  具備n、p型及高速率的外延生長能力；

●  RUN TO RUN性能優異；

●  高均勻性、低缺陷的SiC外延質量；

●  供液一體化系統 。