粵升設備融合二十余年的SiC晶體工藝經驗打造，給您提供高質量、低成本的SiC單晶。

設備名稱：液相法SiC單晶爐

設備型號：YS-C08S01

設備尺寸：L1800×W1400×H3750mm

適用工藝：LPE法（兼容PVT法）

長晶尺寸：6吋兼容8吋

籽晶/坩堝升降行程：200mm

籽晶/坩堝旋轉速度范圍：0-180rpm

最高加熱溫度：800~2200℃

液相法SiC長晶特點：

● 生長的晶體質量高，缺陷少，沒有微管類缺陷，晶體應力低；

● 可生長n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長3C-SiC；

● 生長過程對溫場影響小，工藝穩定性好；

● 不需預合成SiC粉原料，生長成本低；

● 生長溫度低，能耗低。