2024年11月8日，為期3天的第五屆亞太碳化硅及相關材料國際會議（APCSCRM 2024)在中國深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重閉幕。

中科匯珠總經理、首席技術官楊軍偉博士受邀出席本次大會并做”液相法3C-SiC襯底同質外延的應用與研究”的演講報告，旨在闡明液相法技術的先進性及對應市場需求的緊迫性。

演講圍繞液相法3C-SiC襯底同質外延展開了相關材料應用和性能研究的介紹。報告提到，液相法碳化硅單晶生長技術是一項革新的技術。其與傳統PVT法相比，具有低制造成本、低晶體缺陷密度、低應力以及可生長多元化材料等優點。目前，通過液相法生長已獲得高質量3C-SiC單晶材料，其可以解決現階段4H-SiC MOSFET溝道遷移率低、柵氧界面態密度高等瓶頸問題。3C-SiC材料有望大幅提升MOSFET器件的可靠性和穩定性，推動SiC器件大規模商業化應用。

楊軍偉博士重點介紹了中科匯珠在基于液相法3C-SiC單晶襯底上的外延工藝開發以及材料性能驗證成果，表示目前公司已具備生長基于液相法襯底的高質量同質外延片的技術能力，且從實驗上證明了3C-SiC的柵氧界面態密度比4H-SiC至少低一個數量級。此外，楊軍偉博士對公司的產品也做了介紹，表示公司目前可以為客戶提供多樣化材料需求的產品服務，其中核心產品之一即為基于液相法襯底的同質外延片，包括p型4H-SiC及3C-SiC材料。公司期待與更多的客戶進行深入合作，共同開拓SiC產業的美好未來。

亞太碳化硅及相關材料國際會議（APCSCRM）自2018年在中國北京舉辦首屆會議以來，已經成功舉辦五屆，本屆會議以“芯時代開放創新·芯機遇合作發展”為主題，旨在聚焦寬禁帶半導體（SiC、GaN、Ga₂O₃、AlN、金剛石等）相關材料、器件及前沿應用，共同探討寬禁帶半導體材料的前沿技術成果和最新市場動態，為全球寬禁帶半導體領域發展貢獻智慧與力量，閉幕式現場頒發了優秀海報獎和最佳奉獻獎，中科匯珠有幸榮獲會務組頒發的”最佳貢獻獎“。

轉載來源：中科匯珠