在半導體產業追求自主可控與高質量發展的浪潮中，廣州粵升半導體設備有限公司傳來振奮人心的消息——公司自主研發的 8 英寸碳化硅（SiC）外延設備成功完成研發并順利交付標桿客戶。這一成果不僅是企業自身技術實力發展的重要里程碑，更標志著中國 SiC 產業在關鍵設備領域實現了自主可控，為行業高質量發展注入了強勁動力。

設備外觀及裝車現場

設備性能：多項關鍵指標達國際先進水平

廣州粵升自研的SiC外延設備所生長的8英寸SiC外延片在多項關鍵指標上表現亮眼，典型數據如下：

l 膜厚與摻雜濃度不均勻性：外延片膜層厚度不均勻性小于0.5%，摻雜濃度不均勻性小于1.2%。

l 表面粗糙度：多點AFM測試結果顯示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm。

l 表面缺陷：外延片表面缺陷數量少， 3mm×3mm管芯良率達到99%以上。

膜厚與摻雜濃度不均勻性

表面粗糙度

表面缺陷情況

產業升級：賦能SiC產業高質量發展

當前，半導體設備的國產化和自主可控已成為國家戰略的迫切需求。“一代材料，一代器件，一代裝備”，設備作為產業鏈的核心環節，其技術突破對整個產業的升級具有決定性意義。廣州粵升8英寸SiC外延設備的成功研發，精準解決了SiC產業鏈中關鍵環節的技術痛點，助力我國寬禁帶半導體產業的高質量發展。

廣州粵升：專注 SiC 產業設備的創新力量

廣州粵升半導體設備有限公司（官網：www.pozong.com.cn)始終專注于液相法SiC單晶生長設備、氣相法SiC外延設備的研發和生產。作為半導體行業的積極參與者，公司深耕 SiC 材料生長裝備，憑借持續技術創新，致力于推動半導體行業的高質量發展，為創造美好生活貢獻力量。

公司致力于千方百計滿足用戶的多樣化需求，這也是我們創新的最大動力。此次，8 英寸 SiC 外延設備的出貨，是廣州粵升踐行初心的有力證明，也為中國 SiC 產業在全球競爭中占據有利地位奠定了堅實基礎。